【摘 要】
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Introduction In_2O_3·Sn films have high transparency(>95％) within the visible spectral region, low resistivity(10~(-2)—10~(-4) ohm·cm) at room temperature an
【出 处】
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Chemical Research in Chinese Universities
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Introduction In_2O_3·Sn films have high transparency(>95％) within the visible spectral region, low resistivity(10~(-2)—10~(-4) ohm·cm) at room temperature and superior thermal stability. These films have been applied to solar cells, electronics and photoelectronics fields. In recent years, organometallic-CVD method has emerged as a successful alternate to the physical methods and general CVD for the growth of these films. The MO-CVD tech-
Introduction In_2O_3 · Sn films have high transparency (> 95%) within the visible spectral region, low resistivity (10 ~ (-2) -10 ~ (-4) ohm · cm) at room temperature and superior thermal stability. These films have has applied to solar cells, electronics and photoelectronics fields. In recent years, organometallic-CVD method has emerged as a successful alternate to the physical methods and general CVD for the growth of these films.
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