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针对磷化铟（InP）基高电子迁移率晶体管（HEMT），进行了Ni／Ge／Au和Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au两种金属结构快速退火（10～40s）和长时间合金（10min）的实验．通过研究比较，得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法．利用Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au结构，在270℃下合金10min形成了典型值．0.068Ω·mm的接触电阻．