变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Cary1986

【摘要】

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利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为

【作者】

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越方禹邵军魏彦峰吕翔黄炜杨建荣褚君浩

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083中国科学院上海技术物理研究所先进材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2007年5期

【关键词】

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碲镉汞液相外延汞空位反常吸收

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利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.

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