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研究了不同厚度的超薄栅1．9nm到3．0nm器件在恒压应力下的栅电流变化．实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分，一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的，另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的．
不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流
【摘 要】
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研究了不同厚度的超薄栅1．9nm到3．0nm器件在恒压应力下的栅电流变化．实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分，一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的，另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划(No.G2000036503),,教育部博士点基金(No.97000113)资助项目~~
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