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为了提高亚稳立方AlN 薄膜的外延质量,采用激光分子束外延法,以T iN 为缓冲层在S i（ 100）衬底上制 备立方AlN 薄膜,主要研究了 TiN 缓冲层厚度对立方AlN 薄膜结晶质量和表面形貌的影响.结果表明,以 TiN 为缓冲层可制备出高取向度的立方AlN 薄膜,当缓冲层沉积时间为30 min时,立方A lN 薄膜的结晶质量 最好,表面最平整.