基于ALD Al2O3新型反熔丝器件的可靠性研究

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaofei3310

【摘要】

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金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)反熔丝器件常被用于现场可编程逻辑阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)的互联结构单元.本文使用高介电常数材料Al2O3作

【作者】

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赵巍颂田敏钟汇才

【机构】

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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

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2019年1期

【关键词】

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金属一绝缘体一金属反熔丝原子层沉积开关比时变击穿特性 metal-insulator-metalanti-fuseatomic layer deposit

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金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)反熔丝器件常被用于现场可编程逻辑阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)的互联结构单元.本文使用高介电常数材料Al2O3作为介质层,使用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,制备了高可靠性,高性能的MIM反熔丝单元.该反熔丝单元关态电阻超过1TΩ,同时开态电阻非常低,满足正态分布,集中在22Ω左右,波动幅度很小,标准差仅为3.7Ω,因此Al2O3反熔丝器件具有很高

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