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在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，建立了一个半经验的Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用，由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型，对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出，增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率，从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。