两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

来源 :第二届全国先进焦平面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwucg

【摘要】

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本文分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型

【作者】

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李雪陈俊何政赵德刚龚海梅方家熊

【机构】

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传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院半导体研究所,北京,100083

【出处】

：

第二届全国先进焦平面技术研讨会

【发表日期】

：

2006年8期

【关键词】

：

紫外探测器镓半导体肖特基结响应波长太阳盲区

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本文分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。结果表明，Au与i-Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250～290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W。

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