【摘 要】
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采用磁控溅射方法制备Cr-Si-Al电阻薄膜,以X射线衍射仪和透射电镜研究薄膜在不同温度退火处理后微观结构的变化,并利用四探针法测量薄膜的电阻值.结果表明:薄膜在低于250℃热
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采用磁控溅射方法制备Cr-Si-Al电阻薄膜,以X射线衍射仪和透射电镜研究薄膜在不同温度退火处理后微观结构的变化,并利用四探针法测量薄膜的电阻值.结果表明:薄膜在低于250℃热处理时均为非晶态;退火温度大于300℃时,薄膜中开始析出尺寸约10～15nm的Cr(Si,Al)2晶粒.其后,在退火温度为350～450℃时,析出的晶粒大小没有明显变化.当退火温度为600℃时,析出的晶粒大小及数量急剧增大,平均尺寸接近45 nm.随着退火温度的上升,薄膜电阻率先上升、后下降;薄膜电性能变化与微观结构的关系可以用活化
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