【摘 要】
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本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO 蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究，并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管，分析其对管芯表面电流扩展、IT
【机 构】
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同辉电子科技股份有限公司,河北工业大学信息工程学院
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本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO 蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究，并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管，分析其对管芯表面电流扩展、ITO与P-GaN欧姆接触电阻的影响，通过优化ITO相关工艺来降低LED工作电压及提高透过率、提高LED发光亮度。通过试验得到优化参数为：ITO厚度250nm，退火温度400℃，N2流量30L/min，退火时间10min。在优化条件下玻璃片上测得ITO方块电阻约为12Ω/□，透光率达到95%以上，制得的203μm×508μm蓝光LED芯片在直流电流20mA下的正向电压3.18V，光功率为26.11mW。封装成X=0.35， Y=0.35，色温4500K，显色指数75白光后，光通量为7.81lm。
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