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为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅.实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点.
Zn掺杂n型硅材料的补偿研究
【摘 要】
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为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅.实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所
【出 处】
：
电子元件与材料
【发表日期】
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2005年6期
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