25 keV附近中子平均俘获截面〈σ_nγ〉系统学研究

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文章研究了25keV附近中子平均俘获截面随质量数A、有效激发能U及能级密度参数α的系统学依赖性。给出系统学公式为〈σ_(nγ)〉=0.3482A~(-1.033)U~(-0.2438)α~(0.8569)exp{1.011(αU)~(1/2)}
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