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研究了纳米Al2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ。固体电解质晶界离子电导率的影响。结果发现,掺杂少量纳米Al2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能,中低温下的晶界离子电导率显著上升。分析表明,掺杂第2相在晶界处的偏聚改善了晶界的离子导电通道结构,是导致晶界离子电导率上升的主要原因。