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SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET，两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有极低的导通电阻，以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM，优值系数）。
超低导通电阻MOSFET
【摘 要】
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SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET，两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有极低的导通电阻，以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM，优值系数）。
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2011年5期
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