【摘 要】
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为满足现代X射线应用和设计电子加速器的靶结构和束流参数的需要,采用MCNP4B程序对2～20MeV能量范围内的电子束入射不同厚度钨靶的X射线发射率进行了系统的模拟计算和研究。结
【机 构】
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清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,清华大学工程物理系 北京 100084rrrrrrrrn,北京 100084rrrrrrrrn,北京 100084
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为满足现代X射线应用和设计电子加速器的靶结构和束流参数的需要,采用MCNP4B程序对2～20MeV能量范围内的电子束入射不同厚度钨靶的X射线发射率进行了系统的模拟计算和研究。结果表明在电子能量小于10MeV时,MCNP4B的结果与NCRP-51报告一致,但在10MeV以上,它们间的差别增大。该文结果对早期NCRP-51报告的结果有重要的改进,对于现代产生X射线的电子加速器靶的设计具有参数作用。
In order to meet the need of modern X-ray application and design of target structure and beam parameters of electron accelerator, MCNP4B program was used to simulate and study the X-ray emissivity of different tungsten targets with different thickness from 2 to 20 MeV . The results show that the MCNP4B results are consistent with the NCRP-51 report at energies less than 10 MeV, but above 10 MeV, the difference between them increases. The results of this paper have important improvements on the results reported in the early NCRP-51 and have a parametric effect on the design of modern X-ray electron accelerator targets.
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