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利用DC磁控溅射法在p-Si（111）衬底上制备了TiNx薄膜．利用X射线能谱仪（EDX）、X射线衍射（XRD）、紫外／可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性．结果表明，薄膜中N／Ti原子比接近于1；衬底温度对薄膜的择优取向影响显著，240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由（111）向（200）转变的临界点；薄膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高，先增大后减小；薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低．