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SiC作为制造高温、高频、大功率光电集成器件的理想材料，具有高临界击穿强度、高电子迁移率、高导热率等多个特点。SiC晶片的表面光滑度对于晶片工艺研究有着极为重要的作用，但是在对晶片进行研磨的过程中不可避免地会对镜片表面造成损伤，影响晶片性能。本文对此进行了一系列研究。
SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤研究
【摘 要】
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SiC作为制造高温、高频、大功率光电集成器件的理想材料，具有高临界击穿强度、高电子迁移率、高导热率等多个特点。SiC晶片的表面光滑度对于晶片工艺研究有着极为重要的作用，但
【机 构】
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河北远东通信系统工程有限公司
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2016年16期
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