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文中简要介绍了ＣｄＺｎＴｅ晶体用作ＨｇＣｄＴｅ外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特点，总结了影响ＣｄＺｎＴｅ晶体生长和晶体质量的因素，提出ＣｄＺｎＴｅ晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
外延衬底用CdZnTe晶体进展
【摘 要】
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文中简要介绍了ＣｄＺｎＴｅ晶体用作ＨｇＣｄＴｅ外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特点，总结了影响ＣｄＺｎＴｅ晶体生长和晶体质量的因素，提出ＣｄＺｎＴｅ晶体生长中存
【机 构】
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华北光电技术研究所
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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1997年4期
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