【摘 要】
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介绍了一种全新的全合成法G.655和G.656光纤制造工艺,详细分析了该工艺中芯层折射率差Δ0、芯层厚度a、第二包层的折射率差Δ2、第二包层的厚度c2等结构参量与光纤光学性能的
【机 构】
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杭州富通通信技术股份有限公司,浙江大学现代光学仪器国家重点实验室
【基金项目】
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国家“863”高技术研究与发展计划（2002AA312210）和国家科技攻关计划（2004BA309803）资助
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介绍了一种全新的全合成法G.655和G.656光纤制造工艺,详细分析了该工艺中芯层折射率差Δ0、芯层厚度a、第二包层的折射率差Δ2、第二包层的厚度c2等结构参量与光纤光学性能的关系.结果表明,制造该两种光纤时,Δ0应在0.0120～0.0155之间,Δ2应在0.0140～0.0230之间,a应在2.8～3.2μm之间,c2应在满足截止波长的要求下尽可能小.
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