非晶硅敏感器件研究进展

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【摘要】

：

<正>非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放

【作者】

：

田敬民

【机构】

：

陕西机械学院自动化工程系

【出处】

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传感技术学报

【发表日期】

：

1992年4期

【关键词】

：

敏感器件非晶硅研究

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<正>非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此,本世纪70年代后期围绕α-Si:H的应

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