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本文介绍用ＣＶＤ法在铜的基底上合成金刚石薄膜，并获得金刚石－铜复合材料的方法，测量了金钢石－铜复合薄膜电阻与温度的关系．得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为０．７～２．５ｅＶ，多晶金刚石薄膜的禁带宽度为２．６～３．１ｅＶ，金刚石－铜复合薄膜的热导率约为铜的２倍
金刚石—铜复合薄膜热沉基底
【摘 要】
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本文介绍用ＣＶＤ法在铜的基底上合成金刚石薄膜，并获得金刚石－铜复合材料的方法，测量了金钢石－铜复合薄膜电阻与温度的关系．得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为０．７～２．５ｅＶ，多晶金刚石薄膜的禁带宽度为
【机 构】
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清华大学物理系,基辅大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年09期
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