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利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片（p-Si）上制备Zn2SiO4∶ZnO（ZnO嵌入Zn2SiO4基体）薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明：器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压（p-Si接正极）下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压（p-Si接负极）下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。