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本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm~2面积上达到11.19％(AM1.5,100mW/cm~1).
小面积高效率非晶硅单结太阳能电池
【摘 要】
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本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京100083,北京100083,北京100083
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1991年10期
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