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单晶SiO2表面Ag注入层的结构与光吸收的研究

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhuhaiyongjiewang

【摘 要】

：

报道了在室温和２００ｋＶ电压下，以６．７×１０＾１６Ａｇ＾＋／ｃｍ＾２剂量注入单晶ＳｉＯ２的研究结果。Ｒａｍａｎ谱表明６．７×１０＾１６Ａｇ＾＋／ｃｍ＾２注入使单晶ＳｉＯ２非晶化；ＸＰＳ结果初步说明注入的Ａｇ以金属态存在；ＲＢＳ谱表明Ａｇ在ＳｉＯ２中呈现双峰分布。ＴＥＭ明场像显示了Ａｇ在注入层中形成

【作 者】

：

刘正昕 汪泓宏 

【机 构】

：

清华大学

【出 处】

：

核技术

【发表日期】

：

1996年7期

【关键词】

：

单晶 二氧化硅 银离子注入 纳米微粒 光吸收 Single crystal α-SiO_2 Ag ion Anplantation Nano-sized par 

【基金项目】

：

北京大学重离子物理开放实验室和北京师范大学辐射束和材料工程实验的资助

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报道了在室温和２００ｋＶ电压下，以６．７×１０＾１６Ａｇ＾＋／ｃｍ＾２剂量注入单晶ＳｉＯ２的研究结果。Ｒａｍａｎ谱表明６．７×１０＾１６Ａｇ＾＋／ｃｍ＾２注入使单晶ＳｉＯ２非晶化；ＸＰＳ结果初步说明注入的Ａｇ以金属态存在；ＲＢＳ谱表明Ａｇ在ＳｉＯ２中呈现双峰分布。ＴＥＭ明场像显示了Ａｇ在注入层中形成两种主要尺寸的球形超微粒。较大的直径为２５ｎｍ左右，分布相当密集；较小的直径大约为５ｎｍ。注入层的光

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