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基于密度泛函理论的第一性原理方法，对单个氧原子（O）化学置换掺杂在锯齿形（zigzag）（9，0） BC2 N NTs 进行了研究。结果显示 O 掺杂在 B 位（OB ）和第二个 C 位（OCI ）时，结构发生很明显的形变；而在 ON 和OCI掺杂 BC2 N 纳米管的情况下，产生的形变几乎可以忽略。形成能的研究结果表明，ON 掺杂的体系在 B－rich 的条件下是最为稳定的。 OB 掺杂（9，0）BC2 N NTs 的电子能带结构表明其显示受体的性质，而 ON 掺杂（9，0）BC2 N NTs 的导带位于 Fermi 能级处显示金属的性质。对于 OC 掺杂（9，0）BC2 N NTs 的情况，OCI和 OCI 掺杂（9，0）BC2 N NTs 分别为间接带隙半导体和直接带隙半导体。