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研究了烧结助剂BiVO4对（Zn0.65Mg0.35）TiO3（ZMT）陶瓷结构及介电性能的影响。研究结果表明，添加BiVO4可促进晶粒生长，使ZMT材料在较低温度下烧结成瓷，且获得较好的微波介电性能；但添加量不宜过大，过量后烧结过程中形成的液相过多，不能均匀的分散在晶界处，不利于晶粒的充分生长；最佳的BiVO4的质量分数为1．0％，添加后材料可在930℃烧结，相对介电常数εr=20．87，品质因数与频率之积（Q×f）为26700 GHz（在频率f为15GHz下测试的数据），谐振器频率温度系数（