【摘 要】
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以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数。对于半导体桥（SCB）在一定放电
【机 构】
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南京理工大学化工学院,巢湖大学化学系
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以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数。对于半导体桥（SCB）在一定放电条件下所产生的瞬态小尺寸等离子体,很多等离子体诊断方法不能适用。本研究利用原子发射光谱技术,同时获得SCB等离子体温度和电子密度随时间分布的诊断结果,在放电电压为16 V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB等离子体温度分布在2 400-3 800 K之间,电子密度约为3.2×10^14-4.2×10^14个/cm
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