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对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究，介绍了氟化物反应离子刻蚀机理，对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析，总结出刻蚀优化工艺条件，解决了刻蚀中存在的工艺难题。试验表明，在CF4加O2的优化工艺条件下，其刻蚀具有良好的各各异性和较高的重复性，获得了良好的刻蚀效果。