论文部分内容阅读
采用分子束外延外延生长技术，优化InGaAsSb／A1GaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数，获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明，材料的发光波长为2．0μm左右。该结果表明，通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料，可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22mw，阈值电流300mA。