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日本Phoeton公司在日前举办的＂INTER NEPCON＂（2011年1月19-21日,东京有明国际会展中心）上,介绍了SiC半导体用激光退火装置。该装置设想用于背面电极中采用的金属层的欧姆（Ohmic）化。据Phoeton介绍，该公司预定在2011年2月提供首台SiC半导体用激光退火装置。另外，还预定在2012年开始供货定位为“量产机型”的装置。