【摘 要】
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以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）为代表的第3代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗
【机 构】
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工业和信息化部赛迪智库原材料工业研究所
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以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）为代表的第3代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等条件的要求，在太阳能、半导体照明、智能电网等众多领域应用不仅可以减少一半以上的能量损失，而且可以使装备体积大大缩小（如笔记本电脑适配器可减小80%，一个电站将只有手提箱那么大），在国防安全、航空航天、新能源、光存储、石油勘探等多个领域有着广阔的应用前景。正是由于第3代半导体材料的优异性能、未来广阔的应用空间以及对国家安全、
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