【摘 要】
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本文利用反射式高能电子衍射（RHEED）、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si（111）衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg（0001）/Si（111）界面互扩散
【机 构】
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北京凝聚态物理国家实验室,北京工业大学固体微结构与性能研究所,清华大学物理系
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本文利用反射式高能电子衍射（RHEED）、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si（111）衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg（0001）/Si（111）界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板。在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变。上述低
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