Pd掺杂SnO2纳米结构传感器制备与氢敏性能研究

来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hygensos

【摘要】

：

以SnCl4·5H2O和PdCl2为原料,通过雾化热解方法制备原位Pd掺杂SnO2多孔纳米结构粉体,并通过涂覆形成薄膜传感器.利用XRD、FE-SEM对样品的结构和形貌进行表征,通过BET测定

【作者】

：

吴晓萌凌云汉廖俊生朱小珊智欣白新德

【机构】

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清华大学

【出处】

：

原子能科学技术

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

雾化热解多孔SnO2 Pd掺杂氢敏测试

【基金项目】

：

国家自然科学基金委-中国工程物理研究院联合资助项目(10776017,10676018)

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以SnCl4·5H2O和PdCl2为原料,通过雾化热解方法制备原位Pd掺杂SnO2多孔纳米结构粉体,并通过涂覆形成薄膜传感器.利用XRD、FE-SEM对样品的结构和形貌进行表征,通过BET测定样品的孔径分布及比表面积.氢敏测试结果表明,Pd掺杂的SnO2薄膜气敏材料在低于150℃的操作温度下对质量浓度为10-4量级的H2显示出良好的气敏响应特性,这可能归因于粉体的多孔结构和Pd掺杂剂的催化效应.

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