论文部分内容阅读
提出了非晶材料晶化过程温度控制和电阻率测试的总体设计方案,介绍了测试系统的控制算法及硬件和软件设计。在电阻率测试中采用四探针方法,克服了接触电阻和引线电阻的影响;在温度控制中采用了组合自校正算法,满足了调节和跟踪两个方面的要求。试验表明,本测试系统完全满足了非晶材料晶化过程电特性研究的需要。