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采用高分子辅助化学溶液沉积（PACSD）方法，在双轴织构的NiW（200）合金基底上沉积了厚度大于160nm的Eu0．3Ce0．7O1．85-x（ECO）单一缓冲层。制得的ECO缓冲层双轴织构良好，表面平整、无裂纹。同时，Eu的掺杂提高了Ce02单一缓冲层薄膜的临界厚度。在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜，超导零电阻转变温度Tc0=86K，临界电流密度达到Jc（0T，77K）=0．4MA／cm^2。本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法。