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具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射
具有分形结构的SiC/SiO2界面的粗糙散射
来源 :计算物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:juejiang12
【摘 要】
:
用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度△,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础
【作 者】
:
陈文建
谢家纯
徐军
胡林辉
董晓波
【机 构】
:
中国科学技术大学物理系
【出 处】
:
计算物理
【发表日期】
:
2004年4期
【关键词】
:
分形结构
碳化硅
二氧化硅
界面粗糙散射
MOSFET
半导体材料
fractal coarse interface dispersion MOSFET sil
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用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度△,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC/SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.
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