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两套低本底反康普顿HPGeγ谱仪技术指标的比较
两套低本底反康普顿HPGeγ谱仪技术指标的比较
来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:leave2009418
【摘 要】
:
以对比的手法介绍了两套结构相同的低本底反康普顿高纯锗γ谱仪在技术指标,性能上的差别,并通过详实的实验数据,对谱仪处在不同工作状态时的康普顿散射抑制效果作了细致的比较,分
【作 者】
:
韩峰
李天柁
【机 构】
:
第二炮兵工程学院102教研室
【出 处】
:
核电子学与探测技术
【发表日期】
:
1999年5期
【关键词】
:
低本底
反康普顿
高纯锗
Γ谱仪
技术指标
LowbackgroundAntiComptonHPGe DetectorGammaray Spectrometer
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以对比的手法介绍了两套结构相同的低本底反康普顿高纯锗γ谱仪在技术指标,性能上的差别,并通过详实的实验数据,对谱仪处在不同工作状态时的康普顿散射抑制效果作了细致的比较,分析了影响提高峰康比的主要因素。
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