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阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义。
MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性
【摘 要】
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阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义
【机 构】
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尼西半导体科技（上海）有限公司
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2021年2期
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