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介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点。分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素。在此基础上,采用等离子增强型ALD技术在硅片上制备Al N薄膜,并测试分析了薄膜的成分和表面平整度,满足工艺要求。
原子层沉积系统在氮化铝AlN薄膜工艺中的应用
【摘 要】
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介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点。分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素。在此基础上,采用等离子增强型ALD技术在硅片上
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2016年01期
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