噪声温度低于50°K的4千兆赫非冷低噪声参量放大器的实验

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:spyxin
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本文叙述了用于卫星通讯地面站的4千兆赫非冷参放的电路设计,考虑了变容二极管串联电阻趋肤效应的影响以及讨论了双调谐信号电路的设计方法.参放采用零偏压截止频率高于650千兆赫的变容二极管;57千兆赫耿氏振荡器作泵源;低损耗四端环行器和热电致冷到-40℃的环境下工作.获得的结果是:在中心频率下参放本身的噪声温度为23~25°K,考虑到环行器、输入电路损耗及后级贡献,整个系统噪声温度为37~47°K. This paper describes the design of a 4 GHz noncooled circuit for satellite communications ground stations, considers the effect of skin effect on the series resistance of varactors, and discusses the design of a dual-tuned signal circuit. A varactor diode with a cutoff frequency higher than 650 gigahertz, a 57 GHz Gunn oscillator as a pump source, a low loss four-terminal circulator and thermoelectric cooling to -40 ° C. The result is that at a center frequency Under the parameters of the noise temperature itself is 23 ~ 25 ° K, taking into account the circulator, the input circuit loss and consequent contribution, the entire system noise temperature of 37 ~ 47 ° K.
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