共溅射法制备ITO：Zr薄膜及其特性研究

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wskwugxk

【摘要】

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采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO：Zr薄膜，研究了衬底温度、氧流量对ITO：Zr薄膜性能的影响。表征和对比了ITO：Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化。ITO：Zr薄膜在低温生

【作者】

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张波董显平徐晓峰赵培吴建生

【机构】

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上海交通大学材料科学与工程学院,东华大学理学院,中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

：

光电子.激光

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

ITO薄膜磁控溅射衬底温度氧流量 ITO films magnetron sputtering substrate temperature oxyg

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采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO：Zr薄膜，研究了衬底温度、氧流量对ITO：Zr薄膜性能的影响。表征和对比了ITO：Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化。ITO：Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能，衬底温度的提高显著改善了薄膜的光电性能；一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能，但过量的氧却使得ITO：Zr薄膜的光电性能变差。透射谱表明各参数的变化引起了明显的“Burstin-Moss”效应。当优化溅射条件为工作气压0．5Pa、氧流量0．3sccm、直流溅射功率45w（ITO靶）和射

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