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利用光发射谱（OES）技术，对反应磁控溅射过程的氧化铝薄膜的迟滞效应进行了研究。对等离子体中的铝（396nm）谱线和氧化铝（484nm）谱线随氧气流量的变化进行了实时测量，获得了其迟滞曲线。在迟滞曲线的不同位置分别进行了氧化铝薄膜的沉积试验。采用x射线衍射仪（XRD）、能谱仪（EDS）和紫外可见吸收光谱仪（UV—VIS）对薄膜的晶体结构、成分和透光性进行了分析。结果表明：由于磁控靶表面的氧化铝沉积影响了铝靶材的溅射，导致AI（396nm）谱线的强度对氧化铝薄膜的晶体结构、原子比以及样品的透光性有明显的影响