5THz混频二极管等效电路模型研究

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采用电磁场和电路联合仿真,基于直流测试和三维电磁建模仿真技术,建立了截止频率5 THz的混频肖特基二极管的等效电路模型。重点研究了二极管的非线性结模型和外围结构三维电磁全波仿真模型,构建了考虑实际电路形式的四端口三维电磁全波仿真模型。该等效电路模型可用于太赫兹低频段混频模块设计,该模型的建立方法也为更高频段模型的建立提供了一种参考。基于该模型设计了一款220 GHz分谐波混频器,在192~230 GHz宽带范围内,双边带变频损耗小于10 d B,测试结果与仿真结果较为一致。 The equivalent circuit model of a mixed Schottky diode with a cutoff frequency of 5 THz was established based on DC test and three-dimensional electromagnetic modeling and simulation technology using electromagnetic field and circuit co-simulation. The nonlinear three-dimensional electromagnetic full-wave simulation model of the diode and the three-dimensional electromagnetic full-wave simulation model of the peripheral structure are mainly studied, and a four-port three-dimensional electromagnetic full-wave simulation model considering the actual circuit is constructed. The equivalent circuit model can be used in the design of the THz low-frequency mixer module. The method of establishing the model also provides a reference for the establishment of the higher-frequency model. Based on this model, a 220 GHz subharmonic mixer is designed. The conversion loss in bilateral band is less than 10 d B in the range of 192 ~ 230 GHz. The test results are in good agreement with the simulation results.
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