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SiGe半导体公司宣布推出纤薄的Wi-Fi系统功率放大器RangeCharger SE2523BU,采用侧高仅为 0.5mm 如纸张般纤薄的全新封装,集成了SiGe半导体业界领先的性能和高功效技术。这种超薄设计更可降低25%的功耗,非常适合于把Wi-Fi功能嵌入到以电池供电的便携式消费电子产品中。
SE2523BU是SiGe半导体SE2523x功放系列的最新型号,该系列于去年推出,迅速获得了市场的广泛认同。这款器件完全满足在便携式消费电子产品中嵌入Wi-Fi能力的猛增需求,其中包括 PDA、Wi-Fi 语音(VoWi-Fi) 手机、照相机、蜂窝手机、电脑外设和车用设备。
SiGe半导体公司无线数据产品总监Andrew Parolin 表示,“Wi-Fi技术已广为消费者接受,现在用户更期望无线技术所提供的便利性可以超越笔记本电脑领域。利用 SiGe半导体的功率放大器,制造商便可以把Wi-Fi技术嵌入在众多崭新的应用中,而且仍然能满足外形尺寸不断缩小、电池寿命延长及成本降低等要求。”
SE2523BU是一款 2.4GHz功率放大器,集成了数字使能电路、一个强大的功率检测器和偏置电路。
该器件集成的功率检测器具有很高的抗失配能力,因此能大大提高无线传输的稳定性:在 2∶1的失配情况下,其变化小于1.5dB。此外,这种功率检测器也提供了两个可选的功率检测器斜坡,故能用于多个芯片组。该器件更带有数字使能控制电路,可直接与 CMOS基带或收发器相连,从而简化设计。 (D9)
小巧的音频放大器
NS宣布推出两款 Boomer AB类放大器:LM4941/85,其特点是采用间距只有0.4mm的micro SMD 封装,是很小巧的音频放大器。型号为LM4941的 1.25W音频放大器及型号为 LM4985的立体声耳机放大器,不但具有低静态电流及高输出功率的优点,还可以延长 MP3 播放机、移动电话以及其他便携式电子产品的电池寿命。
NS的0.4mm间距封装占用印制电路板极少的板面空间,因此即使电路板空间有限,工程师也可轻易完成线路设计。NS于1999年便已率先推出先进的micro SMD封装,后来更以此为基础成功开发间距只有0.4mm的新一代 micro SMD封装。新封装除了采用生产硅芯片所必要的先进工艺技术之外,也引进新一代的焊接和硅基体研磨技术。
型号为LM4941的 1.2W AB类音频放大器内置NS独有的射频信号抑制电路,其优点是可以抑制射频干扰,而且这方面的改善比现有的设计高 20dB。放大器的输出端像天线一样,本身也有接收能力,不但会自动接收外来噪音,还会将其传送回放大器的信号路径。放大器若内置射频抑制电路,便可防止输出端接收外来噪音。这款1.2mm×1.2mm 的全差分放大器可以消除大部分系统常见的共模噪音,而且当以5V供电操作时,其静态电流只有1.7mA。
LM4985低噪音立体声耳机放大器设有通过I2C兼容接口控制的32步级非线性音量控制功能,因此无需通过软件提高系统的音量控制分辨度。其音量控制曲线更是应人类听觉灵敏度而特别设计,使用家听得更舒适。
LM4985 芯片的设计灵活,适用于电容耦合或无需输出电容器(OCL)的设计。此外,厂商客户甚至可以利用同一款NS的放大器,开发不同的平台,使新产品可以更快取得认证。 (D9)
SE2523BU是SiGe半导体SE2523x功放系列的最新型号,该系列于去年推出,迅速获得了市场的广泛认同。这款器件完全满足在便携式消费电子产品中嵌入Wi-Fi能力的猛增需求,其中包括 PDA、Wi-Fi 语音(VoWi-Fi) 手机、照相机、蜂窝手机、电脑外设和车用设备。
SiGe半导体公司无线数据产品总监Andrew Parolin 表示,“Wi-Fi技术已广为消费者接受,现在用户更期望无线技术所提供的便利性可以超越笔记本电脑领域。利用 SiGe半导体的功率放大器,制造商便可以把Wi-Fi技术嵌入在众多崭新的应用中,而且仍然能满足外形尺寸不断缩小、电池寿命延长及成本降低等要求。”
SE2523BU是一款 2.4GHz功率放大器,集成了数字使能电路、一个强大的功率检测器和偏置电路。
该器件集成的功率检测器具有很高的抗失配能力,因此能大大提高无线传输的稳定性:在 2∶1的失配情况下,其变化小于1.5dB。此外,这种功率检测器也提供了两个可选的功率检测器斜坡,故能用于多个芯片组。该器件更带有数字使能控制电路,可直接与 CMOS基带或收发器相连,从而简化设计。 (D9)
小巧的音频放大器
NS宣布推出两款 Boomer AB类放大器:LM4941/85,其特点是采用间距只有0.4mm的micro SMD 封装,是很小巧的音频放大器。型号为LM4941的 1.25W音频放大器及型号为 LM4985的立体声耳机放大器,不但具有低静态电流及高输出功率的优点,还可以延长 MP3 播放机、移动电话以及其他便携式电子产品的电池寿命。
NS的0.4mm间距封装占用印制电路板极少的板面空间,因此即使电路板空间有限,工程师也可轻易完成线路设计。NS于1999年便已率先推出先进的micro SMD封装,后来更以此为基础成功开发间距只有0.4mm的新一代 micro SMD封装。新封装除了采用生产硅芯片所必要的先进工艺技术之外,也引进新一代的焊接和硅基体研磨技术。
型号为LM4941的 1.2W AB类音频放大器内置NS独有的射频信号抑制电路,其优点是可以抑制射频干扰,而且这方面的改善比现有的设计高 20dB。放大器的输出端像天线一样,本身也有接收能力,不但会自动接收外来噪音,还会将其传送回放大器的信号路径。放大器若内置射频抑制电路,便可防止输出端接收外来噪音。这款1.2mm×1.2mm 的全差分放大器可以消除大部分系统常见的共模噪音,而且当以5V供电操作时,其静态电流只有1.7mA。
LM4985低噪音立体声耳机放大器设有通过I2C兼容接口控制的32步级非线性音量控制功能,因此无需通过软件提高系统的音量控制分辨度。其音量控制曲线更是应人类听觉灵敏度而特别设计,使用家听得更舒适。
LM4985 芯片的设计灵活,适用于电容耦合或无需输出电容器(OCL)的设计。此外,厂商客户甚至可以利用同一款NS的放大器,开发不同的平台,使新产品可以更快取得认证。 (D9)