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光照下n—InP／溶液界面击穿过程的研究

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guansea

【摘 要】

：

应用大信号电流阶跃法研究光照下半导体电极/溶液界面的击穿过程尚未见报导。本文用此法研究了光照下n-InP/Fe³⁺,Fe²⁺溶液的击穿行为,提出了击穿机理,

【作 者】

：

钱道荪 朱振华 赵俊 

【机 构】

：

上海交通大学应用化学系,上海交通大学应用化学系上海200030,上海200030

【出 处】

：

物理化学学报

【发表日期】

：

1994年1期

【关键词】

：

磷化铟 半导体电极 电流阶跃法 Indium phosphide  Semiconducting electrode  Photoelectrochemistr 

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应用大信号电流阶跃法研究光照下半导体电极/溶液界面的击穿过程尚未见报导。本文用此法研究了光照下n-InP/Fe³⁺,Fe²⁺溶液的击穿行为,提出了击穿机理,测定了电流密度及光强的影响,计算了一些击穿时的参数。 1 实验部分实验用半导体电极为掺Sn的n-InP（（100）面）,其N_D=2×10¹⁷cm<sup&

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