【摘 要】
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采用光电压光谱法测定InGaAsP/InP单异质结和双异质结外延材料的禁带宽度,为此材料和器件的研制提供了一种简便而有效的测试方法。
The bandgap of InGaAsP / InP single he
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采用光电压光谱法测定InGaAsP/InP单异质结和双异质结外延材料的禁带宽度,为此材料和器件的研制提供了一种简便而有效的测试方法。
The bandgap of InGaAsP / InP single heterojunction and double heterojunction epitaxial materials was measured by photo-voltametric spectroscopy, which provided a simple and effective test method for the development of materials and devices.
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