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研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在^60Co源γ辐照下器件的电流—电压（I-V）特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad（Si）辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而