【摘 要】
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文章提出了一种用于大功率LED驱动芯片的宽输入电压范围降压稳压电路,由预降压电路、带隙基准电压电路和线性稳压电路组成,最高输入电压可达40V。采用CSMC 0.5μm BCD工艺模
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
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文章提出了一种用于大功率LED驱动芯片的宽输入电压范围降压稳压电路,由预降压电路、带隙基准电压电路和线性稳压电路组成,最高输入电压可达40V。采用CSMC 0.5μm BCD工艺模型进行仿真验证。仿真结果表明:在负载电流为5mA,输入电压为6～40V时,不同工艺角下带隙基准电压和稳压输出的平均值分别为1.206 4V和5.012 1V,最大变化量分别为0.9mV和12.3mV。输入电压为40V,负载电流为1～100mA时,输出电压变化量约为3.3mV。在低频下稳压电路的电源抑制比大于112dB。
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