【摘 要】
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通过激光脉冲沉积法，分别在Csapphire和R—sapphire衬底上制备了单相二氧化钒（VO2）薄膜。用x射线衍射法表征了不同实验条件下制备的二氧化钒薄膜的结构性质，分析表明在600℃，10^-2
【机 构】
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西安邮电学院电子工程学院,香港科技大学工学院
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通过激光脉冲沉积法，分别在Csapphire和R—sapphire衬底上制备了单相二氧化钒（VO2）薄膜。用x射线衍射法表征了不同实验条件下制备的二氧化钒薄膜的结构性质，分析表明在600℃，10^-2torr的氧气分压下，生长15min可得到单相的二氧化钒（VO2）薄膜；重点研究了激光能量对薄膜电学性质的影响，实验结果表明激光能量在500-600MJ对制备的二氧化钒薄膜具有最好的电学性质。
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