生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响

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在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
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